MOSFET Vishay Siliconix canal N, SC-70-6L 12 A 60 V, 6 broches
- Code commande RS:
- 178-3667
- Référence fabricant:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
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| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 3000 + | 0,282 € | 846,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 178-3667
- Référence fabricant:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Documentation technique
Législation et Conformité
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Très faible facteur de mérite (FOM) RDS - Qg
Réglé pour le plus faible RDS - Qoss
Très faible facteur de mérite (FOM) RDS - Qg
Réglé pour le plus faible RDS - Qoss
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 12 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Série | TrenchFET |
| Type de boîtier | SC-70-6L |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 6 |
| Résistance Drain Source maximum | 20 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 19 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±20 V |
| Largeur | 1.35mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 2.2mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Charge de Grille type @ Vgs | 8,9 nC @ 10 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Hauteur | 1mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Tension directe de la diode | 1.2V |