Références fabricant

MOSFET canal N Vishay Siliconix 12 A 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-70-6L TrenchFET

Code commande RS:: 178-3667
Référence fabricant:: SiA106DJ-T1-GE3
Marque:: Vishay Siliconix

MOSFET canal N Vishay Siliconix 12 A 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-70-6L TrenchFET

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 356,00 €

1 626,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,452 €	1 356,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-3667
Référence fabricant:: SiA106DJ-T1-GE3
Marque:: Vishay Siliconix

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	12A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	SC-70-6L
	Série	TrenchFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.0185Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	19W
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	6.9nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	2.2mm
	Largeur	1.35mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 12A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier SC-70-6L
	Série TrenchFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.0185Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 19W
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.9nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1mm
	Normes/homologations No
	Longueur 2.2mm
	Largeur 1.35mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV

Très faible facteur de mérite (FOM) RDS - Qg

Réglé pour le plus faible RDS - Qoss

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