MOSFET 2 canal N Double Vishay 4.5 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SC-70 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 228-2835
- Référence fabricant:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 228-2835
- Référence fabricant:
- SIA938DJT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 21.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 7.8W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 21.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 7.8W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET série TrenchFET de Vishay, tension de source de drain maximale de 20 V, courant de drain continu maximum de 4,5 A - SIA938DJT-T1-GE3
Ce MOSFET est un transistor compact à double canal N à mode d'amélioration conçu pour la gestion de l'alimentation à montage en surface. Il offre une solution de commutation basse tension adaptée aux assemblages électroniques denses et est destiné aux applications nécessitant une commande à deux canaux dans un boîtier SC-70 à 8 broches. Le dispositif gère des courants continus modérés et dissipe une puissance limitée tout en fonctionnant sur une large plage de températures.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant de 21.5 mΩ réduit les pertes de conduction
• La tension de drain maximale de 20 V prend en charge les systèmes basse tension
• Le courant de drainage nominal continu de 4,5 A permet des charges modérées
• La charge de grille de 3,5 nC permet une commutation plus rapide et une consommation d'énergie réduite
• La capacité de dissipation de puissance de 7,8 W facilite le budget thermique
• La plage de fonctionnement de -55 à 150 °C permet un déploiement à haute température
• La tension de drain maximale de 20 V prend en charge les systèmes basse tension
• Le courant de drainage nominal continu de 4,5 A permet des charges modérées
• La charge de grille de 3,5 nC permet une commutation plus rapide et une consommation d'énergie réduite
• La capacité de dissipation de puissance de 7,8 W facilite le budget thermique
• La plage de fonctionnement de -55 à 150 °C permet un déploiement à haute température
Applications
• Convient aux étages de distribution c.c. alimentés par batterie
• Idéal pour le redressement synchrone dans les convertisseurs de puissance
• Utilisé pour la commutation de charge à double canal sur les cartes compactes
• Peut être utilisé pour les étapes basse tension d'entraînement de moteur
• Convient aux environnements thermiquement difficiles nécessitant des pièces à haute température
• Idéal pour le redressement synchrone dans les convertisseurs de puissance
• Utilisé pour la commutation de charge à double canal sur les cartes compactes
• Peut être utilisé pour les étapes basse tension d'entraînement de moteur
• Convient aux environnements thermiquement difficiles nécessitant des pièces à haute température
Quelle méthode de montage prend-il en charge sur un circuit imprimé?
Il est fourni pour l'assemblage en surface dans un boîtier SC-70 à 8 broches, facilitant le soudage automatisé et l'agencement compact.
Comment le dispositif gère-t-il les limites de l'entraînement de grille?
La tension grille-source ne doit pas dépasser 12 V afin d'éviter toute contrainte diélectrique de grille pendant le fonctionnement.
Le transistor est-il adapté aux configurations complémentaires?
Il s'agit d'une disposition à double canal N avec deux éléments par matrice, permettant des topologies de commutation appariées où deux dispositifs de type N sont nécessaires.
Quelles sont les extrêmes thermiques qu'il peut tolérer lors de son utilisation?
Le dispositif est conçu pour fonctionner jusqu'à -55 °C et jusqu'à 150 °C, ce qui permet une utilisation sur une large enveloppe thermique.
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