MOSFET P Vishay 12 A 12 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 TrenchFET

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Code commande RS:
165-6977
Référence fabricant:
SIA447DJ-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

SC-70

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

71mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

19W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

52nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

800μm

Longueur

1.7mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.7mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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