MOSFET Vishay canal P, Power PAK SC-70 12 A 12 Mo, 6 broches
- Code commande RS:
- 165-6977
- Référence fabricant:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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| Unité | Prix par unité | la bobine* |
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| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 165-6977
- Référence fabricant:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 12 A |
| Tension Drain Source maximum | 12 Mo |
| Série | TrenchFET |
| Type de boîtier | Power PAK SC-70 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 6 |
| Résistance Drain Source maximum | 71 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.4V |
| Dissipation de puissance maximum | 19 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -8 V, +8 V |
| Longueur | 1.7mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 52 nC @ 8 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 1.7mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 0.8mm |
- Code commande RS:
- 165-6977
- Référence fabricant:
- SIA447DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay