MOSFET P Vishay 12 A 20 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 SiA461DJ

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Code commande RS:
165-7261
Référence fabricant:
SIA461DJ-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-70

Série

SiA461DJ

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-8V, +8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

17.9W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.7mm

Largeur

1.7mm

Normes/homologations

No

Hauteur

800μm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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