MOSFET de puissance 2 canal Type P, Type N Isolé Vishay 4.5 A 12 V Enrichissement, 6 broches, SC-70 TrenchFET Non
- Code commande RS:
- 165-7183
- Référence fabricant:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
801,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,267 € | 801,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-7183
- Référence fabricant:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 170mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 6.5W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.15mm | |
| Largeur | 2.15mm | |
| Hauteur | 800μm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 170mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 6.5W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.15mm | ||
Largeur 2.15mm | ||
Hauteur 800μm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
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