MOSFET 2 canal Type P, Type P Isolé Vishay 135 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, SC-89-6 TrenchFET Non

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Code commande RS:
165-6899
Référence fabricant:
SI1025X-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P, Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

135mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SC-89-6

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

8Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.4V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.7nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

250mW

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.2mm

Normes/homologations

No

Longueur

1.7mm

Hauteur

600μm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH

MOSFET à double canal P, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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