MOSFET P Vishay 520 mA 150 V Enrichissement, 6 broches, US TrenchFET
- Code commande RS:
- 180-7265
- Référence fabricant:
- SI1411DH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 180-7265
- Référence fabricant:
- SI1411DH-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 520mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | US | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 520mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier US | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Largeur 2.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal P TrenchFET série SI1411DH de Vishay Siliconix est doté d'une tension de drain à source de 150 V. Il est utilisé dans les circuits à pince active dans les alimentations c.c.
Petit boîtier SC-70 thermiquement amélioré
Très faible résistance à l'état passant
Sans plomb
Sans halogène
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay 0.52 A 150 V Enrichissement US TrenchFET
- MOSFET P Vishay 4 A 12 V Enrichissement US TrenchFET
- MOSFET de puissance P Vishay 12 A 30 V Enrichissement US TrenchFET
- MOSFET P Vishay 12.5 A 20 V Enrichissement TSSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 8 A 20 V Enrichissement TSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 5.4 A 80 V Enrichissement TSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 8 A 12 V Enrichissement TSOP TrenchFET
- MOSFET P Vishay 8 A 30 V Enrichissement TSOP TrenchFET