MOSFET Vishay canal P, Power PAK SC-70 12 A 12 V, 6 broches

Code commande RS:: 787-9288
Référence fabricant:: SIA447DJ-T1-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal P, Power PAK SC-70 12 A 12 V, 6 broches

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Prix pour l'unité (en bande de 10)

0,384 €

0,461 €

Unité	Prix par unité	Per Tape*
10 - 90	0,384 €	3,84 €
100 - 490	0,365 €	3,65 €
500 - 990	0,327 €	3,27 €
1000 - 2490	0,20 €	2,00 €
2500 +	0,184 €	1,84 €
*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 787-9288
Référence fabricant:: SIA447DJ-T1-GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

SiA447DJ, P-Channel 12V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	12 A
Tension Drain Source maximum	12 V
Type de boîtier	Power PAK SC-70
Série	TrenchFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	71 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	0.4V
Dissipation de puissance maximum	19 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-8 V, +8 V
Largeur	1.7mm
Matériau du transistor	Si
Longueur	1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs	52 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	0.8mm

Code commande RS:: 787-9288
Référence fabricant:: SIA447DJ-T1-GE3
Marque:: Vishay

SiA447DJ, P-Channel 12V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet

MOSFET Vishay canal P, Power PAK SC-70 12 A 12 V, 6 broches

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Transistor MOSFET canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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