MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAIR 3 x 3 30 A 30 V, 8 broches

Code commande RS:: 178-3944
Référence fabricant:: SiZ350DT-T1-GE3
Marque:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAIR 3 x 3 30 A 30 V, 8 broches

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Code commande RS:: 178-3944
Référence fabricant:: SiZ350DT-T1-GE3
Marque:: Vishay Siliconix

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: TW

Détail produit

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Forme de transistors MOSFET haute puissance et faible puissance optimisée
Combinaison pour 50 % du rapport cyclique
Le facteur de mérite optimisé RDS - Qg et RDS - Qgd élève
le rendement pour la commutation haute fréquence
APPLICATIONS
Abaisseur synchrone
Conversion c.c.-c.c.
Demi-pont
POL

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	30 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Série	TrenchFET
Type de boîtier	PowerPAIR 3 x 3
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	9 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Tension de seuil minimale de la grille	2.4V
Dissipation de puissance maximum	16,7 W
Tension Grille Source maximum	-12 V, +16 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	2
Largeur	3mm
Charge de Grille type @ Vgs	13,5 nC @ 10 V
Longueur	3mm
Matériau du transistor	Si
Hauteur	0.75mm
Tension directe de la diode	1.2V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET Vishay Siliconix canal N, PowerPAIR 3 x 3 30 A 30 V, 8 broches

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