MOSFET de puissance 2 canal N Double Vishay Siliconix 30 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAIR 3 x 3 TrenchFET
- Code commande RS:
- 178-3703
- Référence fabricant:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 178-3703
- Référence fabricant:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 16.7W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -12V, +16V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Largeur | 3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 0.75mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 16.7W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +16V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Largeur 3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 0.75mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Forme de transistors MOSFET haute puissance et faible puissance optimisée
Combinaison pour 50 % du rapport cyclique
Le facteur de mérite optimisé RDS - Qg et RDS - Qgd élève
le rendement pour la commutation haute fréquence
APPLICATIONS
Abaisseur synchrone
Conversion c.c.-c.c.
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