MOSFET canal Double N Vishay 125 A 30 V Enrichissement, 12 broches, PowerPAIR 3 x 3FS TrenchFET
- Code commande RS:
- 736-656
- Référence fabricant:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
1,92 €
HT
2,30 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 + | 1,92 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 736-656
- Référence fabricant:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Double N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 125A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 12 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00351Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 56.8W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 32nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Double N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 125A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 12 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00351Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 56.8W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 32nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le MOSFET à canal N double haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans diverses applications, offrant des performances thermiques et des capacités de commutation supérieures.
La technologie TrenchFET Gen V optimise l'efficacité et les performances
Configuration symétrique à double canal n permettant des conceptions de circuits polyvalentes
Les transistors MOSFET high-side et low-side prennent en charge les applications à 50 % du cycle de service
Des tests approfondis garantissent un fonctionnement fiable dans des conditions rigoureuses
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 2 canal N Double Vishay 125 A 30 V PowerPAIR 3 x 3FS SiZF5300DT Non
- MOSFETs simples canal N Vishay 34.6 A 70 V Mode d'amélioration PowerPAIR 3 x 3FS TrenchFET
- MOSFET canal Double N Vishay 60 A 70 V Enrichissement PowerPAIR 3 x 3FS SIZF456LDT
- MOSFET canal Double N Vishay 100 A 30 V Enrichissement PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT
- MOSFET canal N Vishay 208 A 45 V Enrichissement PowerPAK TrenchFET
- MOSFET P Vishay -101.4 A -40 V Enrichissement PowerPAK TrenchFET
- MOSFET 2 canal N Double Vishay 258 A 30 V Enrichissement PowerPAIR 6 x 5F TrenchFET Non
- MOSFET 2 canal N Double Vishay 32.5 A 70 V Enrichissement PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET Non