MOSFET canal Double N Vishay 125 A 30 V Enrichissement, 12 broches, PowerPAIR 3 x 3FS TrenchFET
- Code commande RS:
- 736-656
- Référence fabricant:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 736-656
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- SIZF5300DT-T1-UE3
- Marque:
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Double N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 125A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 12 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00351Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 32nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 56.8W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Double N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 125A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 12 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00351Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 32nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 56.8W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le MOSFET à canal N double haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'énergie dans diverses applications, offrant des performances thermiques et des capacités de commutation supérieures.
La technologie TrenchFET Gen V optimise l'efficacité et les performances
Configuration symétrique à double canal n permettant des conceptions de circuits polyvalentes
Les transistors MOSFET high-side et low-side prennent en charge les applications à 50 % du cycle de service
Des tests approfondis garantissent un fonctionnement fiable dans des conditions rigoureuses
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