MOSFET canal double canal N Vishay 100 A 30 V Enrichissement, 12 broches, PowerPAIR 3 x 3FS SIZF5302DT
- Code commande RS:
- 736-358
- Référence fabricant:
- SIZF5302DT-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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- Marque:
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | double canal N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | SIZF5302DT | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 12 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0032Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 48.1W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14.8nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal double canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série SIZF5302DT | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 12 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0032Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 48.1W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14.8nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à double canal N de Vishay gère efficacement la puissance dans diverses applications telles que les périphériques d'ordinateur et de buck synchrones.
Utilise la technologie TrenchFET Gen V pour une efficacité accrue
L'architecture à double canal N optimise la dissipation thermique
Capable de gérer un courant de drainage continu maximal de 28,1 A à 25 °C
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