MOSFETs simples canal N Vishay 34.6 A 70 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerPAIR 3 x 3FS TrenchFET
- Code commande RS:
- 847-936
- Référence fabricant:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 847-936
- Référence fabricant:
- SIZF458LDT-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 34.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 70V | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.020Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 48.1W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS3 Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 34.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 70V | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.020Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 48.1W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS3 Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
Le MOSFET à double canal N de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation, principalement utilisé dans les applications de commutation qui nécessitent une fiabilité et des performances élevées dans des conditions de tension variables.
Fonctionne avec une tension drain-source maximale de 70 V pour des performances robustes
Optimisé pour les configurations de cycle de service de 50 %, améliorant l'efficacité de la commutation
Utilise la technologie Flip Chip, offrant une conception thermique supérieure pour une meilleure dissipation de la chaleur
Testé à 100 % pour R et UIS afin de garantir la fiabilité dans les applications critiques
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