MOSFETs simples canal N Vishay 3.4 A 80 V Mode d'amélioration, 8 broches, P SI
- Code commande RS:
- 829-364
- Référence fabricant:
- SIR580DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 829-364
- Référence fabricant:
- SIR580DP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | P | |
| Série | SI | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0192Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 37.7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier P | ||
Série SI | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0192Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 37.7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 6.15mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation. Ce composant avancé excelle dans les rôles nécessitant des niveaux élevés de gestion du courant et de régulation de la tension.
Technologie TrenchFET Gen V pour un rendement supérieur
La faible résistance à l'état passant réduit les pertes de puissance
Test approfondi pour la fiabilité, y compris les tests UIS
Optimisé pour un faible facteur de mérite R x Q afin d'améliorer les performances
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