MOSFETs simples canal N Vishay 6 A 30 V Mode d'amélioration, 6 broches, TSOP-6 SI

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Code commande RS:
829-360
Référence fabricant:
SI3410BDV-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TSOP-6

Série

SI

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0192Ω

Mode de canal

Mode d'amélioration

Dissipation de puissance maximum Pd

3.3W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

1.7mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de la charge dans les circuits électroniques. Il fonctionne à une tension drain-source maximale de 30 V, optimisant l'utilisation de l'énergie dans diverses applications.

Fournit un courant de drain continu maximal de 6 A, garantissant la fiabilité sous charge

Offre une faible résistance à l'état passant de 0,0192 Ohm à 10 V, ce qui contribue au rendement énergétique

Construit avec un boîtier TSOP-6 compact, facilitant l'intégration dans les conceptions à espace restreint

Intègre la technologie TrenchFET avancée pour des performances de commutation améliorées

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