MOSFETs simples canal N Vishay 2.5 A 20 V Mode d'amélioration, 6 broches, TSOP-6 TrenchFET
- Code commande RS:
- 847-934
- Référence fabricant:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 847-934
- Référence fabricant:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | TSOP-6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.200Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.15W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS3 Compliant | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier TSOP-6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.200Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.15W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS3 Compliant | ||
Largeur 1.6mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le MOSFET de puissance Vishay combine les fonctionnalités des canaux N et P pour des performances efficaces dans diverses applications. Ce dispositif maximise l'efficacité énergétique tout en maintenant la fiabilité dans les espaces compacts.
La technologie TrenchFET garantit une faible résistance à l'état passant pour un meilleur rendement
Offre une tension drain-source maximale de 30 V pour le canal N et de -30 V pour le canal P
Courant de drainage continu jusqu'à 3,7 A pour un fonctionnement fiable
Les fils ne contiennent pas d'halogène, ce qui favorise la durabilité environnementale
Boîtier TSOP-6 compact pour des conceptions peu encombrantes
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