MOSFETs simples canal N Vishay 6 A 30 V Mode d'amélioration, 8 broches, TSOP-6 SI

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Code commande RS:
829-361
Référence fabricant:
SI7804BDN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TSOP-6

Série

SI

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0192Ω

Mode de canal

Mode d'amélioration

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

19.9W

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Hauteur

1.07mm

Longueur

3.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une conversion CC/CC efficace et des applications d'alimentation du système, garantissant un fonctionnement fiable dans les limites de tension spécifiées.

La technologie TrenchFET Gen III améliore l'efficacité et les performances

Les tests 100 % R garantis garantissent une grande fiabilité

Matériau classé pour la conformité, en soutien des réglementations environnementales

Le courant de drainage continu maximal de 6 A améliore la polyvalence

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