MOSFETs simples canal N Vishay 6 A 30 V Mode d'amélioration, 8 broches, TSOP-6 SI

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Code commande RS:
829-361
Référence fabricant:
SI7804BDN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SI

Type de Boitier

TSOP-6

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0192Ω

Mode de canal

Mode d'amélioration

Dissipation de puissance maximum Pd

19.9W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

3.3mm

Longueur

3.3mm

Hauteur

1.07mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une conversion CC/CC efficace et des applications d'alimentation du système, garantissant un fonctionnement fiable dans les limites de tension spécifiées.

La technologie TrenchFET Gen III améliore l'efficacité et les performances

Les tests 100 % R garantis garantissent une grande fiabilité

Matériau classé pour la conformité, en soutien des réglementations environnementales

Le courant de drainage continu maximal de 6 A améliore la polyvalence

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