MOSFETs simples canal N Vishay 7 A 60 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerPAK 1212-8SLW SISS
- Code commande RS:
- 829-347
- Référence fabricant:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 829-347
- Référence fabricant:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Série | SISS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0285Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 19.8W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8SLW | ||
Série SISS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0285Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 19.8W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de pointe de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation. Il excelle dans la réduction de la perte de puissance liée à la commutation tout en offrant des performances robustes dans diverses applications.
Doté de la technologie TrenchFET Gen IV pour une efficacité accrue
Dispositif entièrement sans plomb garantissant la conformité environnementale
Les caractéristiques de charge optimisées minimisent les pertes d'énergie
Des tests complets Rg et UIS garantissent la fiabilité
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