MOSFET canal N Vishay 198 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS

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Code commande RS:
735-152
Référence fabricant:
SISD5300DN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

198A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

SiS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00087Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

30V

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

59nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

4mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé

Courant de drainage continu de 94 A à TA = 25 °C

Charge de grille totale typique de 54,3 nC pour une commutation rapide

Plage de températures de jonction étendue de -55 à +175 °C

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