MOSFET canal N Vishay 198 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS

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Code commande RS:
735-152
Référence fabricant:
SISD5300DN-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

198A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SiS

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00087Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

59nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

4mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé

Courant de drainage continu de 94 A à TA = 25 °C

Charge de grille totale typique de 54,3 nC pour une commutation rapide

Plage de températures de jonction étendue de -55 à +175 °C

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