MOSFET canal N Vishay 91 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS

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Code commande RS:
735-141
Référence fabricant:
SISD4604LDN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

91A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

SiS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0034Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

60V

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4mm

Hauteur

1mm

Longueur

4mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé

Puissance dissipée de 57 W

Courant de drainage continu de 28 A

Faible charge de grille totale maximale de 15 nC

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