MOSFET canal N Vishay 91 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS

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Code commande RS:
735-141
Référence fabricant:
SISD4604LDN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

91A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

SiS

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0034Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

60V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1mm

Largeur

4mm

Longueur

4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 60 V, optimisé pour la commutation à haut rendement dans les convertisseurs DC/DC de serveur d'alimentation AI et les circuits de redressement synchrones. Il atteint une très faible résistance à l'état passant de 1,7 mΩ maximum à une commande de grille de 10 V pour des pertes de conduction minimales dans les applications à courant élevé

Puissance dissipée de 57 W

Courant de drainage continu de 28 A

Faible charge de grille totale maximale de 15 nC

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