MOSFET canal N Vishay 64 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

2,10 €

HT

2,52 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 07 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 92,10 €
10 - 991,33 €
100 - 4990,90 €
500 +0,73 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
735-136
Référence fabricant:
SISD5806DN-T1-UE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

64A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

SiS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0069Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

80V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1mm

Longueur

4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 80 V. Il est spécialement conçu pour un fonctionnement à faible perte dans les solutions de serveur d'alimentation d'IA et les convertisseurs c. c./c. c. à haut rendement.

Courant de drain continu de 64 A à TC = 25 °C

Puissance dissipée maximale de 57 W

Charge de grille totale maximale de 33 nC

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.