MOSFET canal N Vishay 64 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

2,10 €

HT

2,52 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 92,10 €
10 - 991,33 €
100 - 4990,90 €
500 +0,73 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
735-136
Référence fabricant:
SISD5806DN-T1-UE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

64A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

SiS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0069Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Tension directe Vf

80V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

4mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

4mm

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 80 V. Il est spécialement conçu pour un fonctionnement à faible perte dans les solutions de serveur d'alimentation d'IA et les convertisseurs c. c./c. c. à haut rendement.

Courant de drain continu de 64 A à TC = 25 °C

Puissance dissipée maximale de 57 W

Charge de grille totale maximale de 33 nC

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.