MOSFET canal N Vishay 64 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 SiS

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Code commande RS:
735-136
Référence fabricant:
SISD5806DN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

64A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

SiS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0069Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

80V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

4mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est évalué pour une tension drain-source de 80 V. Il est spécialement conçu pour un fonctionnement à faible perte dans les solutions de serveur d'alimentation d'IA et les convertisseurs c. c./c. c. à haut rendement.

Courant de drain continu de 64 A à TC = 25 °C

Puissance dissipée maximale de 57 W

Charge de grille totale maximale de 33 nC

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