MOSFET canal N Vishay 162 A 30 V Enrichissement, 8 broches, 1212-8S SISS
- Code commande RS:
- 279-9997
- Référence fabricant:
- SISS52DN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 296,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,432 € | 1 296,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 279-9997
- Référence fabricant:
- SISS52DN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 162A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | 1212-8S | |
| Série | SISS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0012Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 57W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 65nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 162A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier 1212-8S | ||
Série SISS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0012Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 57W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de Vishay est un MOSFET à canal N et le transistor qu'il contient est constitué d'un matériau connu sous le nom de silicium.
MOSFET de puissance TrenchFET
Dispositif entièrement exempt de plomb (Pb)
Chiffre de mérite RDS x Qg très faible
100 % testé Rg et UIS
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