MOSFET canal N Vishay 162 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8S SISS52DN

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Code commande RS:
736-353
Référence fabricant:
SISS52DN-T1-BE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

162A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

SISS52DN

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8S

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00095Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Tension directe Vf

1.1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

38nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.3mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

3.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour des applications de commutation robustes, offrant une excellente efficacité et fiabilité dans les solutions de gestion de l'alimentation.

Testé pour 100 % R g et UIS, garantissant une fiabilité supérieure

La classification de la conformité des matériaux améliore la sécurité environnementale

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