MOSFET canal N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8S SISS30DN
- Code commande RS:
- 736-352
- Référence fabricant:
- SISS30DN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
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Ruban(s) | le ruban |
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- Code commande RS:
- 736-352
- Référence fabricant:
- SISS30DN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 54.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | SISS30DN | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8S | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00825Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 26nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 57W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 54.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série SISS30DN | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8S | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00825Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 26nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 57W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour des applications efficaces de redressement synchrone et de conversion de puissance. Il offre une excellente stabilité des performances dans les environnements exigeants.
La technologie TrenchFET Gen IV améliore l'efficacité électrique
Très faible résistance à l'état passant minimisant les pertes d'énergie pendant le fonctionnement
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