MOSFET canal N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8 SISS126DN

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Code commande RS:
735-130
Référence fabricant:
SISS126DN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

54.7A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8

Série

SISS126DN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00825Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

3.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une efficacité optimale dans les applications de gestion de l'alimentation, offrant de hautes performances tout en fonctionnant dans les limites spécifiées.

Fonctionne à une tension drain-source de 80 V pour des performances fiables

Affiche une très faible résistance à l'état passant pour minimiser la perte de puissance

Offre un courant de drainage continu élevé jusqu'à 54,7 A

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