MOSFET canal N Vishay 60 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8S SISS26DN
- Code commande RS:
- 736-351
- Référence fabricant:
- SISS26DN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 736-351
- Référence fabricant:
- SISS26DN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8S | |
| Série | SISS26DN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0045Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 57W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8S | ||
Série SISS26DN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0045Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 57W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.3mm | ||
Longueur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour les applications de gestion de l'alimentation, avec des spécifications robustes et un fonctionnement efficace adapté aux environnements électroniques exigeants.
La technologie TrenchFET Gen IV garantit des performances et une efficacité supérieures
Capable de gérer une tension maximale drain-source de 60 V
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