MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8S SISS64DN

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Code commande RS:
736-356
Référence fabricant:
SISS64DN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8S

Série

SISS64DN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0021Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

57W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

3.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
IL
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation dans diverses applications, garantissant un fonctionnement fiable dans des conditions exigeantes avec des caractéristiques avancées pour réduire les pertes de commutation.

Prend en charge le redressement synchrone et les applications à haute densité de puissance

Résistance à l'état passant ultra-faible aux tensions de grille spécifiées

Courant de drainage continu élevé pour les charges exigeantes

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