MOSFET canal N Vishay 70.6 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8S TrenchFET

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Code commande RS:
735-242
Référence fabricant:
SISS586DN-T1-UE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

70.6A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

PowerPAK 1212-8S

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0085Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

65.7W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.3mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Longueur

3.3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le transistor MOSFET à canal N de Vishay est conçu pour une commutation de puissance efficace dans une large gamme d'applications électroniques. Il offre des performances fiables avec une résistance de grille complète et des tests de commutation inductive non serrés, garantissant un fonctionnement robuste dans des conditions exigeantes. Le dispositif prend en charge des conceptions respectueuses de l'environnement avec une construction conforme à la directive RoHS et sans halogène, ce qui le rend adapté aux systèmes de gestion de l'énergie modernes.

Prise en charge d'un fonctionnement à haute fiabilité dans des environnements exigeants

Adapté aux applications de redressement synchrone

Idéal pour une utilisation comme commutateur latéral primaire dans les convertisseurs de puissance

Conforme à la directive RoHS et sans halogène

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