MOSFET canal N Vishay 70.6 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212-8S TrenchFET
- Code commande RS:
- 735-242
- Référence fabricant:
- SISS586DN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 735-242
- Référence fabricant:
- SISS586DN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8S | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0085Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.7W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8S | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0085Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.7W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
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