MOSFET canal N Vishay 50.3 A 80 V N, 8 broches, 1212-8S SiSS
- Code commande RS:
- 878-901
- Référence fabricant:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 878-901
- Référence fabricant:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | 1212-8S | |
| Série | SiSS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0087Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.7W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Hauteur | 0.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier 1212-8S | ||
Série SiSS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0087Ω | ||
Mode de canal N | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.7W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 3.4mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Hauteur 0.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le semi-conducteur Vishay est un MOSFET à canal N robuste conçu pour une gestion efficace de l'alimentation, doté d'une faible résistance à l'état passant et de performances thermiques améliorées pour les environnements opérationnels exigeants.
La technologie TrenchFET Gen IV offre une efficacité supérieure
Le très faible RDS(on) réduit la perte de puissance pendant le fonctionnement
La tension de seuil de la source de la porte garantit une commutation fiable
Large plage de températures garantissant un fonctionnement dans des conditions variées
La conception du boîtier permet une intégration simplifiée dans les configurations de circuits
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