MOSFET canal N Vishay 50.3 A 80 V N, 8 broches, 1212-8S SiSS
- Code commande RS:
- 878-900
- Référence fabricant:
- SISS32ADN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité, sur un ruban de 1)*
2,02 €
HT
2,42 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,02 € |
| 10 - 99 | 0,95 € |
| 100 - 499 | 0,85 € |
| 500 - 999 | 0,67 € |
| 1000 + | 0,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 878-900
- Référence fabricant:
- SISS32ADN-T1-BE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | SiSS | |
| Type de Boitier | 1212-8S | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0087Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65.7W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 0.83mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série SiSS | ||
Type de Boitier 1212-8S | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0087Ω | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65.7W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 0.83mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Largeur 3.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET de Vishay offre de hautes performances dans les applications de gestion de l'alimentation. Conçu pour l'efficacité, il excelle dans le redressement synchrone et comme commutateur latéral primaire dans les convertisseurs c. c. /c. c. , garantissant un contrôle fiable de l'énergie.
La technologie TrenchFET Gen IV offre une efficacité accrue
Très faible résistance à l'état passant minimisant les pertes de puissance
Des tests complets garantissent la fiabilité et la performance
Conception de boîtier polyvalente adaptée à diverses exigences de montage
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Vishay 50.3 A 80 V N 1212-8S SiSS
- MOSFET N Vishay 58.1 A 80 V PowerPAK 1212-8S SIS
- MOSFET N Vishay 66.6 A 80 V Enrichissement 1212-8S SISS
- MOSFET N Vishay 54.7 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212-8S SISS30DN
- MOSFET N Vishay 128 A 40 V Enrichissement 1212-8S SISS
- MOSFET N Vishay 162 A 30 V Enrichissement 1212-8S SISS
- MOSFET N Vishay 55.9 A 100 V Enrichissement 1212-8S SISS
- MOSFET N Vishay 40.7 A 100 V Enrichissement 1212-8S SISS