MOSFETs simples canal N Vishay 52 A 60 V Mode d'amélioration, 8 broches, PowerPAK 1212-8SLW SISS
- Code commande RS:
- 829-348
- Référence fabricant:
- SISS862ADN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
1,72 €
HT
2,06 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 06 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,72 € |
| 10 - 99 | 1,08 € |
| 100 - 499 | 0,71 € |
| 500 - 999 | 0,56 € |
| 1000 + | 0,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 829-348
- Référence fabricant:
- SISS862ADN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 52A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SISS | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0072Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.07mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 52A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SISS | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8SLW | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0072Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.07mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N avancé de Vishay est conçu principalement pour les applications de commutation à haut rendement. Il offre des performances robustes avec des caractéristiques de faible résistance à l'état passant.
La tension de fonctionnement jusqu'à 60 V garantit la polyvalence dans les applications
Très faible résistance à l'état passant optimisant l'efficacité énergétique
La zone de fonctionnement sûre garantie améliore la fiabilité dans des conditions de forte demande
Testé de manière approfondie pour R et UIS pour des performances garanties
Nos clients ont également consulté
- MOSFETs simples N Vishay 7 A 60 V Mode d'amélioration PowerPAK 1212-8SLW SISS
- MOSFET N Vishay 52 A 60 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS862ADN
- MOSFET N Vishay 64 A 80 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS
- MOSFET N Vishay 55 A 100 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS
- MOSFET N Vishay 91 A 60 V Enrichissement PowerPAK 1212 SiS
- MOSFETs simples N Vishay 33.7 A 80 V Mode d'amélioration P SISS
- MOSFET N Vishay 58.1 A 80 V PowerPAK 1212-8S SIS
- MOSFET N Vishay 87 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SIS