MOSFETs simples canal N Vishay 33.7 A 80 V Mode d'amélioration, 8 broches, P SISS
- Code commande RS:
- 829-346
- Référence fabricant:
- SISS128LDN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|
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| 100 - 499 | 0,67 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 829-346
- Référence fabricant:
- SISS128LDN-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | P | |
| Série | SISS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0156Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier P | ||
Série SISS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0156Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 3.3mm | ||
Largeur 3.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation dans un boîtier compact, garantissant un fonctionnement fiable dans diverses applications exigeantes.
La technologie TrenchFET Gen IV permet d'améliorer l'efficacité et les performances thermiques
Faibles valeurs RDS(on), optimisant les pertes de conduction pendant le fonctionnement
Testé pour une haute fiabilité avec des unités soumises à 100 % R et UIS
Spécifications robustes avec une tension nominale drain-source de 80 V et un courant maximal de 33,7 A
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