MOSFETs simples canal N Vishay 125 A 80 V Mode d'amélioration, 8 broches, P SIR
- Code commande RS:
- 829-343
- Référence fabricant:
- SIR680ADP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 829-343
- Référence fabricant:
- SIR680ADP-T1-UE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 125A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | SIR | |
| Type de Boitier | P | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00288Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 55nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 104W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 125A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série SIR | ||
Type de Boitier P | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00288Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 104W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le MOSFET de puissance Vishay est conçu pour des applications de commutation efficaces, avec une conception compacte qui optimise l'utilisation de l'espace et les performances thermiques dans les conceptions de circuits.
Transistor MOSFET 80 V à canal N avec technologie TrenchFET Gen IV pour des performances supérieures
L'indice R-DS(on) très faible réduit la perte de puissance pendant le fonctionnement
La capacité de courant de drain pulsé de 300 A prend en charge les applications exigeantes
Caractéristiques thermiques améliorées garantissant la fiabilité à des températures élevées
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