MOSFETs simples canal N Vishay 3.4 A 30 V Mode d'amélioration, 6 broches, P SI
- Code commande RS:
- 829-363
- Référence fabricant:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 829-363
- Référence fabricant:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | SI | |
| Type de Boitier | P | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0192Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 15.6W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2.05mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 750μm | |
| Longueur | 2.05mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série SI | ||
Type de Boitier P | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0192Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 15.6W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2.05mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 750μm | ||
Longueur 2.05mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour une gestion efficace de l'alimentation dans diverses applications. Sa construction robuste permet un fonctionnement fiable dans des conditions exigeantes.
La tension drain-source de 30 V facilite une gamme d'applications polyvalente
La résistance maximale à l'état passant de 0,0192 Ohm à 10 V améliore l'efficacité énergétique
Configuré comme un seul dispositif, optimisant l'espace et les performances
Conçu avec la technologie TrenchFET pour des capacités de commutation supérieures
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