MOSFETs simples P Vishay -120 A -60 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-263 SI
- Code commande RS:
- 829-359
- Référence fabricant:
- SQM120P06-07L_NE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|
| 1 - 9 | 3,79 € |
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- Code commande RS:
- 829-359
- Référence fabricant:
- SQM120P06-07L_NE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Canal P | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -60V | |
| Série | SI | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0067Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.28mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 10.16mm | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Canal P | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id -120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -60V | ||
Série SI | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0067Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 180nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.28mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 10.16mm | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- GB
Le transistor MOSFET de puissance à canal P automobile de Vishay est conçu pour les applications haute performance, fournissant une solution robuste pour une gestion efficace de l'énergie dans les environnements automobiles.
La technologie TrenchFET améliore l'efficacité et réduit la perte de puissance
Certifié AEC-Q101 pour la fiabilité dans les applications automobiles
Le boîtier à faible résistance thermique garantit une dissipation thermique optimale
L'excellente résistance à l'état passant à des tensions de grille variables améliore les performances
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