MOSFETs simples P Vishay -120 A -40 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-263 SQM
- Code commande RS:
- 829-358
- Référence fabricant:
- SQM120P04-04L_NE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 829-358
- Référence fabricant:
- SQM120P04-04L_NE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Canal P | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | SQM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.004Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 220nC | |
| Tension directe Vf | -1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.82mm | |
| Longueur | 9.65mm | |
| Largeur | 10.41mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Canal P | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id -120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série SQM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.004Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 220nC | ||
Tension directe Vf -1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.82mm | ||
Longueur 9.65mm | ||
Largeur 10.41mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- GB
Le transistor MOSFET à canal P haute performance pour l'automobile de Vishay est conçu pour fonctionner dans des conditions difficiles tout en offrant des performances fiables dans diverses applications. Sa construction robuste garantit la durabilité et l'efficacité des circuits électriques.
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-21
Faible résistance à l'état passant à une tension de porte à source de -10 V
Qualification AEC-Q101 pour les applications automobiles
Performances thermiques améliorées avec une faible résistance thermique
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