MOSFETs simples P Vishay -36 A -60 V Mode d'amélioration, 8 broches, P SQJ

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Code commande RS:
829-353
Référence fabricant:
SQJ457EP-T1_NE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

-36A

Tension Drain Source maximum Vds

-60V

Série

SQJ

Type de Boitier

P

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.025Ω

Mode de canal

Mode d'amélioration

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

65nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

245W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.15mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

4.9mm

Hauteur

1.04mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
GB
Le MOSFET de puissance Vishay offre des performances fiables pour les applications automobiles, fournissant une commutation efficace et une conductivité thermique élevée pour garantir un fonctionnement robuste dans diverses conditions.

Qualification AEC-Q101 pour les applications automobiles

La technologie TrenchFET améliore l'efficacité et réduit la perte de puissance

La résistance à l'état passant à une tension de grille de -10 V est de 0,0250 ohm

Courant de drainage continu assigné à -36 A pour les applications hautes performances

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