Références fabricant

MOSFET 1 canal Type P Simple Vishay 36 A 60 V, 8 broches, PowerPAK SO-8L SQJ AEC-Q101

Code commande RS:: 180-7972
Référence fabricant:: SQJ457EP-T1_GE3
Marque:: Vishay

MOSFET 1 canal Type P Simple Vishay 36 A 60 V, 8 broches, PowerPAK SO-8L SQJ AEC-Q101

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100 - 180	0,746 €	14,92 €
200 - 480	0,655 €	13,10 €
500 - 980	0,638 €	12,76 €
1000 +	0,622 €	12,44 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-7972
Référence fabricant:: SQJ457EP-T1_GE3
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	36A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	SQJ
	Type de Boitier	PowerPAK SO-8L
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.025Ω
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	65nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	68W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Configuration du transistor	Simple
	Normes/homologations	AEC-Q101
	Longueur	6.15mm
	Hauteur	1.14mm
	Largeur	5.13mm
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 36A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série SQJ
	Type de Boitier PowerPAK SO-8L
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.025Ω
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 68W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Configuration du transistor Simple
	Normes/homologations AEC-Q101
	Longueur 6.15mm
	Hauteur 1.14mm
	Largeur 5.13mm
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 6,7 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance dissipée maximale est de 375 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

Composant sans halogène et plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Applications

• Commutateurs d'adaptateur

• Commutateurs primaires c.c./c.c.

• Commutateurs de charge

• Gestion de l'alimentation

Certifications

• Certifié AEC-Q101

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

• testé Rg

Testé par l'ISU

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