MOSFETs simples canal N Vishay 268 A 60 V Mode d'amélioration, 8 broches, P SQJ
- Code commande RS:
- 829-352
- Référence fabricant:
- SQJ160ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,59 € |
| 10 - 99 | 1,66 € |
| 100 - 499 | 1,13 € |
| 500 - 999 | 0,96 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 829-352
- Référence fabricant:
- SQJ160ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 268A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | P | |
| Série | SQJ | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00182Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 245W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 91nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 268A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier P | ||
Série SQJ | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00182Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 245W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 91nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.15mm | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Largeur 4.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- GB
Le transistor MOSFET à canal N haute performance de Vishay est conçu pour les applications automobiles, garantissant fiabilité et efficacité dans les environnements exigeants.
La technologie TrenchFET améliore les performances et réduit la perte d'énergie
Certifié AEC-Q101, garantissant la conformité pour une utilisation automobile
Des tests R et UIS approfondis garantissent une fonctionnalité robuste
Conçu pour des capacités de courant élevées avec un courant de drain continu maximal de 268 A
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