MOSFETs simples canal N Vishay 14.2 A 100 V Mode d'amélioration, 8 broches, P SISS
- Code commande RS:
- 829-345
- Référence fabricant:
- SISS110DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,03 € |
| 10 - 99 | 0,64 € |
| 100 - 499 | 0,42 € |
| 500 - 999 | 0,32 € |
| 1000 + | 0,29 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 829-345
- Référence fabricant:
- SISS110DN-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | P | |
| Série | SISS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.054Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 24W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Hauteur | 1.04mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier P | ||
Série SISS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.054Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 24W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.3mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 3.3mm | ||
Hauteur 1.04mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IL
Le MOSFET à canal N de Vishay fournit des solutions de gestion de puissance efficaces avec d'excellentes capacités de conduction. Conçu pour les applications exigeantes, il offre des performances de commutation et thermiques supérieures.
Doté de la technologie TrenchFET Gen IV pour une efficacité et des performances supérieures
Testé à 100 % RDS(on) et UIS pour la fiabilité en fonctionnement
Le courant de drainage nominal continu de 11 A garantit une alimentation robuste
Optimisé pour de faibles valeurs de RDS(on), améliorant les performances thermiques
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