MOSFET canal N STMicroelectronics 56 A 250 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-263 STB Series
- Code commande RS:
- 839-144
- Référence fabricant:
- STB25N018M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 839-144
- Référence fabricant:
- STB25N018M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Série | STB Series | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 320W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 85nC | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 10mm | |
| Longueur | 10.3mm | |
| Normes/homologations | ROHS | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Série STB Series | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 320W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 85nC | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 10mm | ||
Longueur 10.3mm | ||
Normes/homologations ROHS | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est un composant à super jonction à canal N construit sur la technologie Advanced MDmesh M9. Il permet des configurations plus petites et plus compactes sans compromettre la capacité thermique.
Type de boîtier d'assemblage en surface D2PAK
Processus de fabrication multi-drain à base de silicium
Faible charge de grille avec un rendement exceptionnel
Capacité dv/dt améliorée et testée en avalanche
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