MOSFETs simples P Vishay -93 A -100 V Mode d'amélioration, 3 broches, TO-263 SQM
- Code commande RS:
- 829-357
- Référence fabricant:
- SQM100P10-19L_NE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 829-357
- Référence fabricant:
- SQM100P10-19L_NE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Canal P | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -93A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -100V | |
| Série | SQM | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0190Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 124nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Longueur | 10.16mm | |
| Largeur | 10.28mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Canal P | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id -93A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -100V | ||
Série SQM | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0190Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 124nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Longueur 10.16mm | ||
Largeur 10.28mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- GB
Le transistor MOSFET de puissance Vishay est conçu pour les applications automobiles, offrant des performances efficaces et une haute fiabilité. Sa technologie TrenchFET avancée garantit une gestion thermique optimale et des capacités de commutation efficaces.
La technologie TrenchFET améliore l'efficacité et les performances thermiques
Conçu pour une tension drain-source de -100 V, garantissant un fonctionnement robuste
Boîtier conçu pour une faible résistance thermique pour une meilleure dissipation de la chaleur
Les tests montrent une validation R et UIS à 100 % pour une haute fiabilité
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