MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 6,7 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance dissipée maximale est de 375 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Boîtier à faible résistance thermique
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs de charge
• Ordinateurs portables