MOSFET P Vishay 150 A 80 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 TrenchFET

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Code commande RS:
228-2983
Référence fabricant:
SUM60061EL-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

150A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

TO-263

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

-0.8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

145nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET Vishay P-Channel 80 V (D-S).

Testé à 100 % Rg et ISU

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