MOSFET canal N Vishay 150 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 TrenchFET
- Code commande RS:
- 228-2987
- Référence fabricant:
- SUM90100E-GE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 198 | 3,56 € | 7,12 € |
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- Code commande RS:
- 228-2987
- Référence fabricant:
- SUM90100E-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 150A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 72.8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 150A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 72.8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Vishay à canal N 200 V (D-S).
Testé à 100 % Rg et ISU
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