MOSFET canal N Vishay 200 A 40 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 TrenchFET
- Code commande RS:
- 228-2980
- Référence fabricant:
- SUM40014M-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 228-2980
- Référence fabricant:
- SUM40014M-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.99mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 182nC | |
| Tension directe Vf | 720mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.99mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 182nC | ||
Tension directe Vf 720mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET 40 V (D-S) à canal N de Vishay.
Testé à 100 % Rg et ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 200 A 40 V Enrichissement TO-263 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 150 A 100 V Enrichissement TO-263 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 150 A 200 V Enrichissement TO-263 TrenchFET
- MOSFET P Vishay 150 A 80 V Enrichissement TO-263 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 250 A 40 V Enrichissement TO-263 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 150 A 200 V Enrichissement TO-220 TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 150 A 40 V Enrichissement TO-263 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 5.2 A 200 V Enrichissement TO-263 SiHF620S