MOSFET canal N Vishay Siliconix 250 A 40 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3723
Référence fabricant:
SQM40016EM_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

250A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

0.001Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

245nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.83mm

Longueur

10.67mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Hauteur

11.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TW
MOSFET de puissance TrenchFET®

Boîtier avec une faible résistance thermique

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