MOSFET N Vishay Siliconix 250 A 40 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
178-3926
Référence fabricant:
SQM40016EM_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

250A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-263

Série

TrenchFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

0.001Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

245nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

11.3mm

Longueur

10.67mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

MOSFET de puissance TrenchFET®

Boîtier avec une faible résistance thermique

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