MOSFET canal N Vishay Siliconix 150 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TO-263 TrenchFET AEC-Q101

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894,40 €

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Code commande RS:
178-3725
Référence fabricant:
SQM40022EM_GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

150A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-263

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

106nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.67mm

Normes/homologations

No

Hauteur

11.3mm

Largeur

4.83mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TW
MOSFET de puissance TrenchFET®

Boîtier avec une faible résistance thermique

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