MOSFET canal N Vishay 150 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TrenchFET

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Code commande RS:
228-2992
Référence fabricant:
SUP90100E-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

150A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-220

Série

TrenchFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

10.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72.8nC

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Tension directe Vf

800mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET Vishay à canal N 200 V (D-S).

Testé à 100 % Rg et ISU

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